Akıllı Telefonlara SSD Hızı Geliyor: SK hynix'ten 321 Katmanlı UFS 4.1 Depolama Hamlesi

Yeni nesil mobil depolamada devrim niteliğinde gelişme
Güney Kore merkezli teknoloji şirketi SK hynix, akıllı telefonlar için geliştirdiği dünyanın ilk 321 katmanlı UFS 4.1 TLC NAND flaş belleğini resmi olarak duyurdu. Yeni bellek yongası, özellikle mobil cihazlarda depolama performansını üst seviyeye taşımayı hedefliyor.

Daha yüksek hız, daha düşük güç tüketimi
Şirketin açıklamasına göre yeni nesil NAND çipleri, önceki 238 katmanlı versiyona kıyasla %15 daha ince ve %7 daha az güç tüketiyor. Ayrıca %15 daha hızlı rastgele okuma ve %40 daha yüksek rastgele yazma performansı sunuyor. Sıralı okuma hızları ise 4,3 GB/saniyeye ulaşarak PCIe NVMe Gen 3 SSD’leri geride bırakıyor.

Yapay zeka ve çoklu görevlerde avantaj
SK hynix, bu gelişmiş sıralı okuma hızlarının cihaz içi yapay zeka işlemlerini hızlandıracağını belirtirken, rastgele performanstaki artışın çoklu görev kullanımında da önemli bir fark yaratacağını ifade ediyor.

Üst segment telefonlara geliyor
Yeni depolama birimi 512 GB ve 1 TB kapasite seçenekleriyle sunulacak. İnceltilmiş form faktörüyle birlikte bu yeni NAND çözümleri, özellikle üst seviye akıllı telefonlarda kullanılacak. Şirket, bu yıl içinde sipariş almayı ve 2026 başında sevkiyata başlamayı planlıyor.

Kaynak: CUMHA - CUMHUR HABER AJANSI